Die Infineon Technologies AG liefert ihre Leistungshalbleiter an FOXESS, einen Hersteller von Wechselrichtern und Energiespeichersystemen. Ziel beider Parteien ist es, die Entwicklung grüner Energie zu fördern. Infineon wird FOXESS seine CoolSiC™ MOSFETs 1200 V zur Verfügung stellen, die gemeinsam mit EiceDRIVER™ Gate-Treibern für industrielle Energiespeicheranwendungen eingesetzt werden. Zudem werden in den String-Photovoltaik (PV)-Wechselrichtern von FOXESS die IGBT7 H7 1200 V Bauelemente von Infineon zum Einsatz kommen.
Der globale Markt für Photovoltaik-Energiespeichersysteme hat in den letzten Jahren ein rasantes Wachstum gezeigt. Da der Wettbewerb zunimmt, ist die Verbesserung der Leistungsdichte ein wichtiger Schlüssel zum Erfolg geworden. Die Frage, wie sich Wirkungsgrad und Leistungsdichte von Energiespeichern verbessern lassen, hat viel Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Die Leistungshalbleiter der CoolSiC MOSFET 1200 V und IGBT7 H7 1200 V Produktserien von Infineon basieren auf den neuesten Halbleitertechnologien und Designkonzepten, die auf die Anwendungen der Industrie zugeschnitten sind. Mit ihrer verbesserten Produktleistung eignen sie sich perfekt für Anwendungen wie PV-Energiespeicher.
Zusätzliche Energie ohne Erhöhung der Batteriekapazität
Mit ihrer hohen Leistungsdichte können die CoolSiC MOSFETs 1200 V von Infineon die Verluste um 50 Prozent reduzieren und ~2 Prozent zusätzliche Energie liefern, ohne die Batteriekapazität zu erhöhen. Besonders für leistungsstarke, leichte und kompakte Energiespeicherlösungen ist das von Vorteil. Die Energiespeicher H3PRO 15 kW-30 kW von FOXESS verwenden in allen Modellen die CoolSiC MOSFETs 1200 V von Infineon. Dank der exzellenten Leistung von Infineon erreicht die H3PRO-Serie einen Wirkungsgrad von bis zu 98,1 Prozent und eine hervorragende EMV-Leistung. Dank ihrer hohen Leistung und Zuverlässigkeit verzeichnet die H3PRO-Serie ein schnelles Verkaufswachstum auf dem globalen Markt.
Verbesserte Systemzuverlässigkeit bei niedrigeren Kosten
Die TRENCHSTOP IGBT7 H7 650 V / 1200 V-Bauelemente von Infineon haben geringere Verluste und tragen dazu bei, den Gesamtwirkungsgrad und die Leistungsdichte von Wechselrichtern zu verbessern. In Hochleistungswechselrichtern können Hochstrom-Bauelemente im diskreten Gehäuse mit Stromtragfähigkeiten über 100 A die Anzahl der parallel geschalteten IGBTs reduzieren und die IGBT-Modullösung ersetzen, was die Systemzuverlässigkeit weiter verbessert und die Kosten senkt. Darüber hinaus ist die H7-Serie aufgrund ihrer hochwertigen Leistung und höheren Feuchtigkeitsbeständigkeit zu einem Branchenstandard geworden. Das wichtigste industrielle und kommerzielle Modell von FOXESS, die R-Serie mit 75 bis 110 kW, definiert aktuell das Gesamtdesign des 100-kW-Modells durch die Verwendung der IGBT7 H7 Module neu. Der Wirkungsgrad des gesamten Systems kann bis zu 98,6 Prozent erreichen. Dank der geringen Leistungsverluste und der hohen Leistungsdichte der IGBT7 H7 Bauelemente in diskreten Gehäusen können technische Probleme wie Stromteilung bei der Parallelschaltung vereinfacht und optimiert werden.
Der richtige Treiber kann das Design der Systemumgebung für Leistungsbauelemente erheblich erleichtern. Infineon bietet mehr als 500 EiceDRIVER-Gate-Treiber mit typischen Ausgangsströmen von 0,1 A-18 A und umfassenden Schutzfunktionen wie schnellem Kurzschlussschutz (DESAT), aktiver Miller-Klemme, Durchschussschutz, Fehlermeldefunktionen, Abschaltung und Überstromschutz, die für alle Leistungsbauelemente einschließlich CoolSiC und IGBTs geeignet sind.
